Болтуева Валерия Александровна: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показаны 2 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 29: | Строка 29: | ||
В 2016 - 2018 гг. - инженер кафедры физической электроники Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. | В 2016 - 2018 гг. - инженер кафедры физической электроники Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. | ||
С 2018 г. - лаборант-исследователь, младший научный сотрудник Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ИШФВП НИ ТПУ). | |||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
| Строка 40: | Строка 38: | ||
- модификация свойств оксидной керамики при облучении пучками заряженных частиц; | - модификация свойств оксидной керамики при облучении пучками заряженных частиц; | ||
- разработка | - разработка новых радиационных технологий модификации керамики и ее свойств. | ||
==Ссылки== | ==Ссылки== | ||
| Строка 55: | Строка 53: | ||
[[Категория:Инженеры]] | [[Категория:Инженеры]] | ||
[[Категория:Физики]] | [[Категория:Физики]] | ||
[[Категория:Женщины-физики]] | |||
[[Категория:Женщины-инженеры]] | |||
[[Категория:Сотрудники научных лабораторий]] | [[Категория:Сотрудники научных лабораторий]] | ||
[[Категория:Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников]] | [[Категория:Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников]] | ||
Текущая версия от 09:30, 26 мая 2022
| Болтуева Валерия Александровна | |
 | |
| Научная сфера: |
электроника, радиоэлектроника |
|---|---|
| Место работы: |
ТУСУР, ТПУ |
| Альма-матер: |
ТУСУР |
Болтуева Валерия Александровна (р. 11.07.1994 г., Казахстан) - младший научный сотрудник проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета.
Биография
В 2018 г. окончила Томский университет систем управления и радиоэлектроники по направлению «Электpoникa и нaнoэлектpoникa».
С 2018 г. - аспирант Томского политехнического университета по специальности "Физика конденсированного состояния".
В 2016 - 2018 гг. - инженер кафедры физической электроники Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
С 2018 г. - лаборант-исследователь, младший научный сотрудник Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ИШФВП НИ ТПУ).
Научная деятельность
Научные интересы:
- взаимодействие пучков заряженных частиц с диэлектриками;
- модификация свойств оксидной керамики при облучении пучками заряженных частиц;
- разработка новых радиационных технологий модификации керамики и ее свойств.
Ссылки
https://www.tpu.ru/university/structure/department/view?id=8247
- Родившиеся 11 июля
- Родившиеся в 1994 году
- Выпускники Томского университета систем управления и радиоэлектроники
- Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники
- Ученые в области электроники
- Инженеры
- Физики
- Женщины-физики
- Женщины-инженеры
- Сотрудники научных лабораторий
- Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников