Болтуева Валерия Александровна: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) (Новая страница: «'''Болтуева Валерия Александровна''' (р. 11.07.1994 г., Казахстан) - младший научный сотрудник пр…») |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 30: | Строка 30: | ||
[[Категория:Выпускники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | [[Категория:Выпускники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | ||
[[Категория:Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | [[Категория:Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | ||
[[Категория: | [[Категория:Ученые в области электроники]] | ||
[[Категория:Инженеры]] | [[Категория:Инженеры]] | ||
[[Категория:Физики]] | [[Категория:Физики]] | ||
[[Категория:Сотрудники научных лабораторий]] | [[Категория:Сотрудники научных лабораторий]] | ||
[[Категория:Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников]] | [[Категория:Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников]] | ||
Версия от 05:35, 26 апреля 2022
Болтуева Валерия Александровна (р. 11.07.1994 г., Казахстан) - младший научный сотрудник проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета.
Биография
В 2018 гг. окончила Томский университет систем управления и радиоэлектроники по направлению «Электpoникa и нaнoэлектpoникa».
С 2018 г. - аспирант Томского политехнического университета по специальности "Физика конденсированного состояния".
В 2016 - 2018 гг. - инженер кафедры физической электроники Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.
В 2018 - 2020 гг. - лаборант-исследователь Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ИШФВП НИ ТПУ).
С 2020 г. - младший научный сотрудник проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ИШФВП НИ ТПУ).
Научная деятельность
Научные интересы:
- взаимодействие пучков заряженных частиц с диэлектриками;
- модификация свойств оксидной керамики при облучении пучками заряженных частиц;
- разработка принципиально новых радиационных технологий модификации керамики и ее свойств.
Ссылки
https://www.tpu.ru/university/structure/department/view?id=8247
- Выпускники Томского университета систем управления и радиоэлектроники
- Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники
- Ученые в области электроники
- Инженеры
- Физики
- Сотрудники научных лабораторий
- Сотрудники проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников