Бугаев Сергей Петрович

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к: навигация, поиск
Бугаев Сергей Петрович
Бугаев Сергей Петрович.jpg
Дата рождения:

31.07.1936 г.

Место рождения:

Ленинград

Дата смерти:

03.04.2002 г.

Научная сфера:

электроника, электрофизика

Учёная степень:

доктор технических наук

Учёное звание:

Академик РАН

Альма-матер:

ТПИ

Бугаев Сергей Петрович (03.08.1936 – 03.04.2002 гг.) – крупный российский ученый-электрофизик, академик РАН.

Биография

Официальная эмблема СО РАН
Институт сильноточной электроники СО РАН в Томске, директором которого был академик С.П. Бугаев
Томский научный центр Сибирского отделения РАН

Родился 3 августа 1936 г. в Ленинграде. Выпускник радиотехнического факультета ТПИ (ТПУ) 1959 г. Кандидат технических наук (1967 г.), доктор технических наук (1976 г.).

После окончания института работал инженером в Новосибирске. С 1960 г. – научный сотрудник НИИ ядерной физики при ТПИ, с 1963 г. – аспирант.

С 1966 г. – старший научный сотрудник, затем руководитель сектора вакуумной техники и электроники НИИ ядерной физики.

С 1973 г. – заведующий лабораторией физической электроники, с 1978 г. – заведующий лабораторией, затем заведующий отделом электронных пучков Института сильноточной электроники Сибирского отделения АН СССР (РАН).

По совместительству в 1976-1986 гг. был доцентом, затем профессором, заведующим кафедрой электронных приборов ТИАСУРа.

В 1986 г. Бугаев стал директором Института сильноточной электроники АН СССР.

С 13.11.2000 г. – председатель президиума Томского научного центра Сибирского отделения РАН.

По совместительству с 1996г. работал профессором кафедры физики плазмы ТГУ.

В 2001-2002 гг. – председатель объединенного ученого совета по физико-техническим наукам сибирского отделения РАН [1; 86].

Научная деятельность

Бугаев наряду с академиком Г. А. Месяцем и рядом других сотрудников ИСЭ СО РАН, является соавтором открытия взрывной электронной эмиссии. Открытия, прославившего Томскую школу физиков и положившего начало новой науке — сильноточной электронике. Вся научная деятельность Сергея Петровича была связана с ее дальнейшим развитием. Им впервые было показано, что скользящий разряд по диэлектрику в вакууме развивается в слое адсорбированного газа, доказана ведущая роль взрывной эмиссии электронов в инициировании таких разрядов. Этот механизм в дальнейшем был подтвержден многими исследователями.

Он внес большой вклад в решение проблемы генерирования сильноточных электронных пучков с использованием холодных катодов. На основе проведенных им исследований перекрытия диэлектриков в вакууме ученый впервые предложил использовать металло-диэлектрические катоды. В модельных экспериментах им впервые были исследованы физические явления в сильноточных диодах со взрывной эмиссией, свойства катодной и анодной плазмы и влияние этой плазмы в диоде на характеристики пучка электронов в ускорителе. Впервые изучены закономерности формирования структуры таких электронных пучков. Результаты исследований по генерированию электронных пучков большого сечения обобщены в монографии "Электронные пучки большого сечения" (1984 г.). На базе исследований ионных потоков из разрядов низкого давления с его участием были разработаны источники газовых и металлических ионов для сильноточной ионной имплантации.

Им были получены важные результаты при исследовании формирования сильноточных полых цилиндрических электронных потоков в коаксиальных диодах с магнитной изоляцией для приборов релятивистской высокочастотной электроники. Впервые установлены соотношения для тока в области ускорения такого диода. Показано, что ток в диоде с магнитной изоляцией определяется ускоряющей областью диода, а не предельным током пространства дрейфа. Результаты исследований физических явлений в коаксиальных диодах с магнитной изоляцией, а также результаты по генерации мощных импульсов микроволнового излучения были обобщены в монографии "Релятивистские многоволновые СВЧ-генераторы" (1991 г.). Сергей Петрович является автором более 200 научных статей и 12 патентов РФ, среди его учеников 2 доктора и 10 кандидатов наук.

Огромное внимание Бугаев уделял и организационной стороне научных исследований, внедрению научных достижений в практику. Трудно переоценить его вклад в развитие Института сильноточной электроники. Под его руководством Институт стал одним из мировых лидеров в области импульсной техники, генерации мощного СВЧ-излучения, в разработке технологий вакуумно-плазменного нанесения покрытий. Будучи избранным в 2000 году на пост председателя Президиума Томского научного центра, Сергей Петрович приложил огромные усилия по сохранению томского Академгодка как уникального социального образования, под его руководством был возрожден Совет общественности Академгородка, стало налаживаться плодотворное взаимодействие с городскими и региональными властями [2].

Награды

Ордена Знак Почета» (1982г.), «Почета»;

медали «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970г.), «Ветеран труда».

Премия Ленинского комсомола (1968г.).

Государственная премия СССР в области науки и техники (1984г.) [1; 86].

Источники

1. Журнал ТПУ «Томский политехник» № 12, 2006-130 стр.

2. http://www-sbras.nsc.ru/HBC/2002/n15/f20.html