Иванова Анна Ивановна — различия между версиями

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к: навигация, поиск
 
Строка 3: Строка 3:
 
|Имя        = Иванова Анна Ивановна
 
|Имя        = Иванова Анна Ивановна
 
  |Оригинал имени      =  
 
  |Оригинал имени      =  
  |Фото                =  
+
  |Фото                = 113824-1-.jpg
  |Ширина              =
+
  |Ширина              = 150px
 
  |Подпись              =  
 
  |Подпись              =  
 
  |Дата рождения        = 1987 г.
 
  |Дата рождения        = 1987 г.

Текущая версия на 10:55, 11 сентября 2019

Иванова Анна Ивановна
113824-1-.jpg
Дата рождения:

1987 г.

Место рождения:

г. Томск

Научная сфера:

физика

Место работы:

ТПУ

Учёная степень:

кандидат физико-математических наук

Альма-матер:

ТПУ

Иванова Анна Ивановна (р. в 1987 г. в г. Томске) – кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник научной лаборатории высокоинтенсивной имплантации ионов Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета.

Биография

В 2011 г. окончила обучение по магистерской программе «Пучковые и плазменные технологии» с присвоением степени магистра физики.

В этом же году поступила в аспирантуру ТПУ на специальность 01.04.20 (Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника).

В 2015 г. защитила диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук на тему «Подавление макрочастиц вакуумной дуги при импульсно-периодическом потенциале смещения» по специальности 01.04.20 – физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника.

В настоящее время работает младшим научным сотрудником в научной лаборатории высокоинтенсивной имплантации ионов Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов ТПУ.

Научная деятельность

Научная работа связана с исследованием закономерностей поведения макрочастиц вакуумной дуги при плазменно-иммерсионной ионной имплантации и осаждении покрытий.

Исследования Ивановой А.И. в последнее время посвящены физическим закономерностям влияния параметров высокочастотного короткоимпульсного потенциала смещения, плотности плазмы, материала катода, температуры мишени на уменьшение поверхностной плотности макрочастиц при ионно-плазменной обработке. Рассматривается комплекс исследований физических процессов, протекающих вблизи потенциальной мишени, погруженной в плазму вакуумно-дугового разряда.

Кроме того, исследования по удалению макрочастиц из плазменного потока и с поверхности мишени в применении для плазменно-иммерсионной имплантации ионов металлов с использованием высоковольтных высокочастотных короткоимпульсных потенциалов смещения являются перспективными.

Ссылки

http://portal.tpu.ru/SHARED/b/BAI